IXFN66N50Q2參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
類別：半導(dǎo)體模塊-FETPCNObsolescence： IXF(K,N,R,X)66N50Q211/Oct/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：10系列：HiPerFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：66A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：80毫歐@500mA，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.5V@8mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：199nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：6800pF@25V功率-最大值：735W安裝類型：底座安裝封裝：SOT-227-4，miniBLOC供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B
