IXFN62N80Q3
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IXFN62N80Q3參數：MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227

類別：半導體模塊-FET
特色產品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs
標準包裝：10
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：800V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：49A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：140毫歐@31A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：270nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：13600pF@25V
功率-最大值：960W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝：SOT-227B