IXFN60N80P
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IXFN60N80P參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

類別：半導(dǎo)體模塊-FET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10
系列：PolarHV™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：53A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：140 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：250nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：18000pF @ 25V
功率 - 最大值：1040W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商器件封裝：SOT-227B