STS8C5H30L
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STS8C5H30L參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它有關(guān)文件： STS8C5H30LViewAllSpecifications
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A，5.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：22毫歐@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：857pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO