STS8C5H30L參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它有關(guān)文件： STS8C5H30LViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：8A，5.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：22毫歐@4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：10nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：857pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
