STS19N3LLH6
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STS19N3LLH6參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STS19N3LLH6ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：STripFET™DeepGATE™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：19A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.6毫歐@9.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@15V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1690pF@25V
功率-最大值：2.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO