STS19N3LLH6參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STS19N3LLH6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：STripFET™DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：19A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.6毫歐@9.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：17nC@15V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1690pF@25V功率-最大值：2.7W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
