STP10NM65N參數：MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STP10NM65NViewAllSpecifications標準包裝：50系列：MDmesh™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：480毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：850pF@50V功率-最大值：90W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220AB配用：497-6416-ND-BOARDEVALL5991/STP10NK60Z
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