STP10NM60ND
PDF資料下載

STP10NM60ND參數：MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STP10NM60NDViewAllSpecifications
標準包裝：50
系列：FDmesh™II
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：600毫歐@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：577pF@50V
功率-最大值：70W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220