NIF9N05CLT3G
PDF資料下載

NIF9N05CLT3G參數：MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：52V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：125毫歐@2.6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：250pF@35V
功率-最大值：1.69W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SOT-223