NIF9N05CLT1G
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NIF9N05CLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：59V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：125毫歐@2.6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：7nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：250pF@35V
功率-最大值：1.69W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223