FDMB668P參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices11/Mar/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.1A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：35毫歐@6.1A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：59nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2085pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-MLP，MicroFET?供應(yīng)商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
