FDMB668P
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FDMB668P參數：MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices11/Mar/2013
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：35毫歐@6.1A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：59nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2085pF@10V
功率-最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-MLP，MicroFET?
供應商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x1.9）