FDMB3800N參數：MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：4.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 4.8A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.6nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：465pF @ 15V功率 - 最大值：750mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-MLP，MicroFET?供應商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
