CSD87312Q3E參數：MOSFET N-CH 30V 27A DL 8VSON
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2?N 溝道（雙）共源FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：27A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 7A， 8V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1250pF @ 15V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：8-SON（3.3x3.3）
