CSD86330Q3D
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CSD86330Q3D參數：MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview
特色產品： CSD86330Q3DNexFET?PowerBlock CSD86330Q3DPowerBlockandTPS53219BuckController
標準包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N通道（半橋）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：20A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9.6毫歐@14A，8V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.2nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：920pF@12.5V
功率-最大值：6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-LDFN
供應商器件封裝：8-SON（3.3x3.3）