CSD17313Q2Q1參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@4A，8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.8V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.7nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：340pF@15V功率-最大值：2.3W安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-SON（2x2）
