CSD17312Q5參數：MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology SelectingVoltageReferences視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview設計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.5毫歐@35A，8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：36nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5240pF@15V功率-最大值：3.2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN裸露焊盤供應商器件封裝：8-SON
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