CSD16321Q5參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.4毫歐@25A，8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：19nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3100pF@12.5V功率-最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SON
