CSD16323Q3C參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： PowerStack?PackagingTechnologyOverview設(shè)計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.5毫歐@24A，8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8.4nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1300pF@12.5V功率-最大值：3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-SON裸露焊盤（3x3）
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