CSD16323Q3
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CSD16323Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： NexFETMOSFETTechnology
視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
設(shè)計(jì)資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：NexFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4.5毫歐@24A，8V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：8.4nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1300pF@12.5V
功率-最大值：3W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：8-TDFN裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝：8-SON