ALD110904SAL
PDF資料下載

ALD110904SAL參數：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：50
系列：Nano Power™ EPAD®
包裝：管件
FET 類型：2 N 溝道（雙）配對
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：10.6V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：12mA， 3mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 歐姆 @ 4.4V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：420mV @ 1µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2.5pF @ 5V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC