ALD110904PAL參數：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8DIP
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：50系列：Nano Power™ EPAD®包裝：管件FET 類型：2 N 溝道（雙）配對FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：10.6V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：12mA， 3mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 歐姆 @ 4.4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：420mV @ 1µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2.5pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安裝類型：通孔封裝：8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝：8-PDIP
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