【供應(yīng)】TPN30008NH,LQ
- 產(chǎn)品型號：TPN30008NH,LQ
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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3000pcs： $0.34075/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
6000pcs： $0.31725/pcs
15000pcs： $0.30550/pcs
30000pcs： $0.29375/pcs
75000pcs： $0.28905/pcs
150000pcs： $0.28200/pcs
詳細信息
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 4.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：920pF @ 40V
功率 - 最大值：27W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：9.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 4.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：920pF @ 40V
功率 - 最大值：27W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級
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TPN30008NH,LQToshiba Semico..8-TSON Advan..2023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
