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【供應】TPH4R606NH,L1Q

  • 產品型號:TPH4R606NH,L1Q
  • 生產廠家: Toshiba
  • 產品規格:8-PowerVDFN
  • 供應商:查看供應商>>
美元參考價格
    5000pcs: $0.79950/pcs
    10000pcs: $0.76875/pcs
    25000pcs: $0.75337/pcs
    50000pcs: $0.73800/pcs
  • 向供應商詢價>>
詳細信息
標準包裝:5,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):32A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 16A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3965pF @ 30V
功率 - 最大值:63W
安裝類型:表面貼裝
封裝:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:8-SOP 高級
TPH4R606NH,L1Q供應商
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