【供應】TPH2R306NH,L1Q

- 產品型號:TPH2R306NH,L1Q
- 生產廠家: Toshiba
- 產品規格:8-PowerVDFN
- 供應商:查看供應商>>
美元參考價格
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5000pcs: $1.18300/pcs
- 向供應商詢價>>
10000pcs: $1.13750/pcs
25000pcs: $1.11475/pcs
50000pcs: $1.09200/pcs
詳細信息
標準包裝:5,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6100pF @ 30V
功率 - 最大值:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:8-SOP 高級
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):60A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6100pF @ 30V
功率 - 最大值:78W
安裝類型:表面貼裝
封裝:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:8-SOP 高級
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