【供應(yīng)】TPC8031-H(TE12LQM)
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPC8031-H(TE12LQM)
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
3000pcs： $0.39060/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：13.3 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2150pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：13.3 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2150pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
-
TPC8031-H(TE12LQM)Toshiba Semico..8-SOP（5.5x6...2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
-
TPC8031-H(TE12LQM)Toshiba代理分銷8-SOIC(0.173..2023+1250全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨品質(zhì)保證
