【供應(yīng)】TPC8021-H(TE12LQ,M
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPC8021-H(TE12LQ,M
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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3000pcs： $0.54600/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：640pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：640pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
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TPC8021-H(TE12LQ,MToshiba Semico..8-SOP（5.5x6...2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
