【供應】TPC8012-H(TE12L,Q)
- 產品型號：TPC8012-H(TE12L,Q)
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規格：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
-
3000pcs： $0.55020/pcs
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詳細信息
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 900mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：440pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）