【供應(yīng)】TK6P60W,RVQ
- 產(chǎn)品型號(hào)：TK6P60W,RVQ
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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2000pcs： $0.79650/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
6000pcs： $0.76700/pcs
10000pcs： $0.73750/pcs
50000pcs： $0.70800/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.2A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：820 毫歐 @ 3.1A， 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310µA， 10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：390pF @ 300V
功率 - 最大值：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6.2A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：820 毫歐 @ 3.1A， 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310µA， 10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：390pF @ 300V
功率 - 最大值：60W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK
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TK6P60W,RVQToshiba Semico..DPAK2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
