【供應】TK6A60W,S4VX
- 產品型號：TK6A60W,S4VX
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規格：TO-220-3 全封裝，隔離接片
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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1pcs： $2.26000/pcs
- 向供應商詢價>>
10pcs： $2.03800/pcs
25pcs： $1.82000/pcs
100pcs： $1.63800/pcs
250pcs： $1.45600/pcs
500pcs： $1.27400/pcs
1000pcs： $1.05560/pcs
2500pcs： $0.98280/pcs
5000pcs： $0.94640/pcs
詳細信息
特色產品：
DTMOSIV Superjunction MOSFETs
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：750 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310µ A，10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：390pF @ 300V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應商器件封裝：TO-220SIS
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：750 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310µ A，10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：390pF @ 300V
功率 - 最大值：30W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應商器件封裝：TO-220SIS
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TK6A60W,S4VXToshiba Semico..TO-220SIS2023+500全新原裝進口現貨品質保證
