US6J2TR參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖： TUMT-6PackageTop標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：390毫歐@1A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：2.1nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：150pF@10V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：TUMT6
