US6J2TR
PDF資料下載

US6J2TR參數：MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品目錄繪圖： TUMT-6PackageTop
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：390毫歐@1A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.1nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：150pF@10V
功率-最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：TUMT6