US6J11TR參數(shù)：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：260 毫歐 @ 1.3A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2.4nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：290pF @ 6V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：UMT6
