TPS1101DR
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TPS1101DR參數：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：15V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：791mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC