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TPC8212-H(TE12LQ,M參數：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 3A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：840pF @ 10V功率 - 最大值：750mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
