TK8P60W,RVQ
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TK8P60W,RVQ參數：MOSFET N CH 600V 8A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 400µA， 10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：570pF @ 300V
功率 - 最大值：80W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：DPAK