TK65E10N1,S1X
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TK65E10N1,S1X參數：MOSFET N CH 100V 148A TO220

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：148A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.8 毫歐 @ 32.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：81nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5400pF @ 50V
功率 - 最大值：192W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220-3