SUD50N03-11-E3
PDF資料下載

SUD50N03-11-E3參數(shù)：MOSFET N-CH D-S 30V TO252

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：-
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1130pF @ 25V
功率 - 最大值：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）