STT6N3LLH6參數(shù)：MOSF N CH 30V 6A SOT23-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STT6N3LLH6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：25毫歐@3A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：3.6nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：283pF@24V功率-最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-6
