STT6N3LLH6
PDF資料下載

STT6N3LLH6參數(shù)：MOSF N CH 30V 6A SOT23-6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STT6N3LLH6ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：STripFET™VI,DeepGATE™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：25毫歐@3A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：3.6nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：283pF@24V
功率-最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-6