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STS10DN3LH5參數：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列其它有關文件： STS10DN3LH5ViewAllSpecifications標準包裝：2,500系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：10A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：21毫歐@5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.6nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：475pF@25V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
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