STS10DN3LH5
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STS10DN3LH5參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
其它有關(guān)文件： STS10DN3LH5ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：STripFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：21毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.6nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：475pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO