STQ2HNK60ZR-AP參數:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
類別:分立半導體產品-FET - 單其它有關文件: STQ2HNK60ZR-APViewAllSpecifications標準包裝:2,000系列:SuperMESH™包裝:帶盒(TB)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續漏極(Id)(25°C時):500mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):4.8歐姆@1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):15nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):280pF@25V功率-最大值:3W安裝類型:通孔封裝:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線供應商器件封裝:TO-92