STQ1HN60K3-AP
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STQ1HN60K3-AP參數(shù)：MOSFET N CH 600V 400MA TO-92

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：SuperMESH3™
包裝：帶盒（TB）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：400mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 歐姆 @ 600mA， 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：9.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：140pF @ 50V
功率 - 最大值：3W
安裝類型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應(yīng)商器件封裝：TO-92