STP6N120K3
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STP6N120K3參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STP6N120K3ViewAllSpecifications
標準包裝：50
系列：SuperMESH3™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.4歐姆@2.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：34nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1050pF@100V
功率-最大值：150W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3整包
供應商器件封裝：TO-220
工具箱：497-8014-KIT-ND-KITWIDEINPUTMOSFET12VALUES