STP30NM30N參數：MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STP30NM30NViewAllSpecifications標準包裝：50系列：MDmesh™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：300V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：30A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：90毫歐@15A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：75nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2500pF@50V功率-最大值：160W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220AB
