STB9NK90Z參數：MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STB9NK90ZViewAllSpecifications標準包裝：1,000系列：SuperMESH™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：900V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.3歐姆@3.6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：72nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2115pF@25V功率-最大值：160W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
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