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STB150N3LH6參數(shù)：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB150N3LH6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3毫歐@40A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：80nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：3800pF@25V功率-最大值：110W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2Pak）
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