STB100NF03L-03-1參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB100NF03L-03ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：STripFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3.2毫歐@50A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：88nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：6200pF@25V功率-最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
