SSM6J212FE(TE85L,F參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 4A ES6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： SmallSignalMOSFET產(chǎn)品目錄繪圖： ES6Top ES6Side標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.5V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：40.7毫歐@3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14.1nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：970pF@10V功率-最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）
