SSM3K35MFV(TPL3)參數(shù)：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： VESMTop VESMSide標(biāo)準(zhǔn)包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：180mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3歐姆@50mA，4V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：9.5pF@3V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-723供應(yīng)商器件封裝：VESM（1.2x1.2）
